隨著新能源汽車產業的蓬勃發展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術帶來了更嚴峻的挑戰。碳化硅憑借其優異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、大電流的工作環境對碳化硅模塊內部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。

傳統互連材料的局限

銅燒結技術的優勢

銅材料具有匹敵銀的優異導電、導熱性能，且比之銀而言，銅材料與碳化硅芯片、陶瓷基板的熱膨脹系數更為相近，有望緩解熱循環和功率循環狀態下的熱失配問題。此外，銅燒結工藝對基板表面的金屬化層不敏感，有望極大地簡化連接界面結構，從而獲得更高的界面穩定性和產品可靠性。同時，單純的界面組成也能夠最大限度地抑制原子擴散、金屬間化合物生成等互連退化現象，降低界面處的接觸電阻、熱阻，并優化電流分布。更重要的是，從原材料價值角度而言，銅的價格僅有銀的幾十分之一，理論上具備較低成本。

在過去的十年間，銅燒結材料雖然與銀燒結材料平行發展，但其固有的易氧化特性對燒結氣氛和燒結條件要求較高，極大地限制了銅燒結材料的廣泛應用。近年來，各大材料廠商普遍在銅燒結漿料的制備上取得突破，工藝條件極大緩和，不少商用案例開始涌現。同時，適用于銀燒結工藝的設備也可以很好地兼容高性能銅漿料。此類設備隨著銀燒結工藝的成熟開始成為各大模塊廠商的產線“標配”，又“無意中”為銅燒結的普及創造了條件。

基本半導體的先行者姿態

據此，基本半導體認為，銅燒結有望成為碳化硅車載功率模塊封裝的理想互連方案。作為國內碳化硅功率器件領域的創新企業，基本半導體意識到銅燒結技術的潛力，積極與材料供應商展開合作，力求將這一前沿技術率先應用于自身產品中。通過與材料業界的合作伙伴通力協作，基本半導體在銅燒結漿料的選型、互連工藝優化等方面取得了一系列進展，為銅燒結技術在碳化硅車載功率模塊中的產業化應用奠定了基礎。

基本半導體Pcore™6 -汽車級HPD碳化硅MOSFET模塊

截至目前，基本半導體模塊研發團隊已對多款銅燒結漿料進行了選型評估，印刷、烘烤、貼片、燒結等工藝環節已趨于穩定。燒結后的連接強度達到80MPa以上，接近銀燒結漿料的最優水平。得益于20MPa以上的超高壓燒結工藝，孔隙率低至15%以下，多孔狀銅燒結體性質均一，難以觀察到氣孔等缺陷。

熱沖擊測試中，銅燒結模塊展現了預期的高可靠性，不僅壽命超過銀燒結模塊30%，且未觀察到明顯的界面破壞。在功率循環可靠性測試中，采用銅漿料的模塊樣品壽命遠高于銀漿料的模塊。綜合而言，銅燒結模塊的壽命提升顯著，可靠性指標完全能夠滿足車規級的嚴苛要求。

基本半導體采用銅燒結技術的預研產品展現出了優異的性能和可靠性，不僅證明了銅燒結技術的應用價值，也彰顯了基本半導體作為行業先驅者的技術實力和創新精神。