PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

基本™（BASiC Semiconductor）SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N

適用于液冷充電樁電源的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

適用于三相三電平維也納PFC的基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

傾佳電子（Changer Tech）致力于國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

國產SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？

電力電子系統研發制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應商提供可靠性測試報告的原始數據和器件封裝的FT數據。

SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要來自以下可靠性測試環節的測試前后的數據對比，通過對齊可靠性報告原始數據測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數據主要包括以下數據:

SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV

SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V

SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V

SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV

SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig

SiC碳化硅MOSFET溫度循環Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃

SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min

FT數據來自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test，也稱為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進行結構及電氣功能確認，以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統的需求。

通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數據的關鍵數據（比如V(BR)DSS，VGS(th)，RDS(on)，

IDSS）的正態分布，可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩定性，這些數據的定性對電力電子系統設計及大批量制造的穩定性也非常關鍵。

碳化硅（SiC）功率模塊在工業市場有許多應用。這些模塊通常用于提高電能轉換和控制系統的效率，同時在高溫和高頻率環境下表現良好。以下是碳化硅功率模塊在工業市場中的一些主要應用：

電機驅動和控制： 碳化硅功率模塊可用于工業電機驅動系統，提供高效率和高功率密度，降低能源損耗。

電源和逆變器： 在工業設備中，SiC功率模塊可用于設計高效率的電源和逆變器，適用于工業自動化、機床和其他高功率應用。

可再生能源系統： 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風力發電系統中得到廣泛應用，提高了能源轉換效率。

焊接設備： 在工業焊接系統中，SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應和更高的效率。

電力傳輸與分配： SiC功率模塊可用于電力輸配系統，提供高效的電力轉換和分配。

電氣化交通： 在高速列車和電動汽車中，碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度，減輕設備重量，提高系統效率。

工業加熱系統： 在高溫加熱系統中，SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩定性和更高的效率。

這些應用表明碳化硅功率模塊在工業環境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案，有助于提高系統性能并減少能源消耗。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色：

 

1.出類拔萃的可靠性：相對競品較為充足的設計余量來確保大規模制造時的器件可靠性。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右，高于市面主流競品，擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動，能夠確保大批量制造時的器件可靠性，這是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET最關鍵的品質. BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高，也增強了在電力電子系統應用中的可靠性。

 

2.可圈可點的器件性能：同規格較小的Crss帶來出色的開關性能。

BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的，帶來關斷損耗Eoff也是市面主流產品中非常出色的，優于部分海外競品，特別適用于LLC應用，典型應用如充電樁電源模塊后級DC-DC應用。

 

Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時間；Ciss越大，延遲時間越長。BASiC基本™（BASiC Semiconductor）第二代SiC碳化硅MOSFET 優于主流競品。

Crss：反向傳輸電容（Crss＝Cgd） ⇒柵極-漏極電容：Crss越小，漏極電流上升特性越好，這有利于MOSFET的損耗，在開關過程中對切換時間起決定作用，高速驅動需要低Crss。

Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大，關斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。

基本™（BASiC Semiconductor）B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：

• 比導通電阻降低40%左右

• Qg降低了60%左右

• 開關損耗降低了約30%

• 降低Coss參數，更適合軟開關

• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風險

• 最大工作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過測試

• 優化柵氧工藝，提高可靠性

• 高可靠性鈍化工藝

• 優化終端環設計，降低高溫漏電流

• AEC-Q101

基本™（BASiC Semiconductor）推出工業級全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore™2 E2B，BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺設計，在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。

 

BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70，FF6MR12W2M1HP_B11，FF6MR12W2M1H_B11，安森美NXH006P120MNF2，wolfspeed的CAB006A12GM3T，CAB006M12GM3T，CAB006M12GM3，CAB006A12GM3。

 

 

產品優勢

- 更穩定導通電阻

新型內部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動。

- 更優異抗噪特性

寬柵-源電壓范圍（Vgss: -10V~+25V），及更高閾值電壓范圍（Vth: 3V~5V），便于柵極驅動設計。

- 更高可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善長期高溫度沖擊循環的CTE失配。

 

應用領域：燃料電池DCDC、數據中心UPS、大功率快速充電樁等。

 

傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本™（BASiC Semiconductor）國產車規級碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，國產車規級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動器，高速電機變頻器等，光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module，儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。專業分銷基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件，全力支持中國電力電子工業發展！

 

汽車級全碳化硅功率模塊是BASiC基本™（BASiC Semiconductor）為新能源汽車主逆變器應用需求而研發推出的系列MOSFET功率模塊產品，包括Pcore™6‍汽車級HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車級DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車級TPAK模塊、Pcore™2‍汽車級ED3模塊等，采用銀燒結技術等BASiC基本™（BASiC Semiconductor）最新的碳化硅 MOSFET 設計生產工藝，綜合性能達到國際先進水平，通過提升動力系統逆變器的轉換效率，進而提高新能源汽車的能源效率和續航里程。主要產品規格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4

 

傾佳電子（Changer Tech）專業分銷BASiC基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅動芯片BTD25350，原方帶死區時間設置，副方帶米勒鉗位功能，為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅動而優化。

BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場景：

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案

光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案

高頻APF，用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案

空調壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案

OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案

服務器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案

 

碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。適用于高性能變換器電路與數字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制，雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制，直流配網的電力電子變換器。