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深圳傾佳電子車規(guī)級碳化硅功率模塊有限公司

新能源汽車電驅動系統(tǒng),汽車級SiC(碳化硅)功率模塊,車用碳化硅功率模塊,HPD碳...

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汽車級SiC(碳化硅)功率模塊,車用碳化硅功率模塊
發(fā)布時間:2024-01-27        瀏覽次數(shù):168        返回列表
 基本™(BASiC Semiconductor)PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊-工業(yè)級全碳化硅功率模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
PcoreTM2 E2B 全碳化硅半橋MOSFET模塊BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
基本™(BASiC Semiconductor)SOT227碳化硅MOSFET模塊B2M012120N
適用于液冷充電樁電源的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
適用于三相三電平維也納PFC的基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷
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傾佳電子(Changer Tech)致力于國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣!Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
 
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保?
電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應商提供可靠性測試報告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測試環(huán)節(jié)的測試前后的數(shù)據(jù)對比,通過對齊可靠性報告原始數(shù)據(jù)測試前后漂移量的對比,從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù):
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏 High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃ VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏(正壓) High Temperature Gate Bias(+) HTGB(+) Tj=175℃ VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏(負壓) High Temperature Gate Bias(-) HTGB(-) Tj=175℃ VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏 High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃ RH=85% VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮 Autoclave AC Ta=121℃ RH=100% 15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán) Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命 Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃ Ton=2min Toff=2min
FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器件FT測試(Final Test,也稱為FT)是對已制造完成的碳化硅MOSFET功率器件進行結構及電氣功能確認,以保證碳化硅MOSFET功率器件符合系統(tǒng)的需求。
通過分析碳化硅MOSFET功率器件FT數(shù)據(jù)的關鍵數(shù)據(jù)(比如V(BR)DSS,VGS(th),RDS(on),
IDSS)的正態(tài)分布,可以定性碳化硅MOSFET功率器件材料及制程的穩(wěn)定性,這些數(shù)據(jù)的定性對電力電子系統(tǒng)設計及大批量制造的穩(wěn)定性也非常關鍵。
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碳化硅(SiC)功率模塊在工業(yè)市場有許多應用。這些模塊通常用于提高電能轉換和控制系統(tǒng)的效率,同時在高溫和高頻率環(huán)境下表現(xiàn)良好。以下是碳化硅功率模塊在工業(yè)市場中的一些主要應用:
電機驅動和控制: 碳化硅功率模塊可用于工業(yè)電機驅動系統(tǒng),提供高效率和高功率密度,降低能源損耗。
電源和逆變器: 在工業(yè)設備中,SiC功率模塊可用于設計高效率的電源和逆變器,適用于工業(yè)自動化、機床和其他高功率應用。
可再生能源系統(tǒng): 碳化硅功率模塊在太陽能逆變器和風力發(fā)電系統(tǒng)中得到廣泛應用,提高了能源轉換效率。
焊接設備: 在工業(yè)焊接系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的功率密度、更高的頻率響應和更高的效率。
電力傳輸與分配: SiC功率模塊可用于電力輸配系統(tǒng),提供高效的電力轉換和分配。
電氣化交通: 在高速列車和電動汽車中,碳化硅功率模塊可以提供更高的功率密度,減輕設備重量,提高系統(tǒng)效率。
工業(yè)加熱系統(tǒng): 在高溫加熱系統(tǒng)中,SiC功率模塊可以提供更高的溫度穩(wěn)定性和更高的效率。
這些應用表明碳化硅功率模塊在工業(yè)環(huán)境中能夠提供更高效、更可靠的解決方案,有助于提高系統(tǒng)性能并減少能源消耗。
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BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET兩大主要特色:
 
1.出類拔萃的可靠性:相對競品較為充足的設計余量來確保大規(guī)模制造時的器件可靠性。
BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列擊穿電壓BV值實測在1700V左右,高于市面主流競品,擊穿電壓BV設計余量可以抵御碳化硅襯底外延材料及晶圓流片制程的擺動,能夠確保大批量制造時的器件可靠性,這是BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET最關鍵的品質(zhì). BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET雪崩耐量裕量相對較高,也增強了在電力電子系統(tǒng)應用中的可靠性。
 
2.可圈可點的器件性能:同規(guī)格較小的Crss帶來出色的開關性能。
BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET反向傳輸電容Crss 在市面主流競品中是比較小的,帶來關斷損耗Eoff也是市面主流產(chǎn)品中非常出色的,優(yōu)于部分海外競品,特別適用于LLC應用,典型應用如充電樁電源模塊后級DC-DC應用。
 
Ciss:輸入電容(Ciss=Cgd+Cgs) ⇒柵極-漏極和柵極-源極電容之和:它影響延遲時間;Ciss越大,延遲時間越長。BASiC基本™(BASiC Semiconductor)第二代SiC碳化硅MOSFET 優(yōu)于主流競品。
Crss:反向傳輸電容(Crss=Cgd) ⇒柵極-漏極電容:Crss越小,漏極電流上升特性越好,這有利于MOSFET的損耗,在開關過程中對切換時間起決定作用,高速驅動需要低Crss。
Coss:輸出電容(Coss=Cgd+Cds)⇒柵極-漏極和漏極-源極電容之和:它影響關斷特性和輕載時的損耗。如果Coss較大,關斷dv/dt減小,這有利于噪聲。但輕載時的損耗增加。
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基本™(BASiC Semiconductor)B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色:
• 比導通電阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 開關損耗降低了約30%
• 降低Coss參數(shù),更適合軟開關
• 降低Crss,及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串擾行為下誤導通風險
• 最大工作結溫175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按結溫Tj=175℃通過測試
• 優(yōu)化柵氧工藝,提高可靠性
• 高可靠性鈍化工藝
• 優(yōu)化終端環(huán)設計,降低高溫漏電流
• AEC-Q101
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基本™(BASiC Semiconductor)推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊Pcore™2 E2B,BMF240R12E2G3基于高性能 6英寸晶圓平臺設計,在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。
 
BMF240R12E2G3 BMF240R12E2C4可以替代英飛凌FF4MR12W2M1H_B70,F(xiàn)F6MR12W2M1HP_B11,F(xiàn)F6MR12W2M1H_B11,安森美NXH006P120MNF2,wolfspeed的CAB006A12GM3T,CAB006M12GM3T,CAB006M12GM3,CAB006A12GM3。
 
 
產(chǎn)品優(yōu)勢
- 更穩(wěn)定導通電阻
新型內(nèi)部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動。
- 更優(yōu)異抗噪特性
寬柵-源電壓范圍(Vgss: -10V~+25V),及更高閾值電壓范圍(Vth: 3V~5V),便于柵極驅動設計。
- 更高可靠性
高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長期高溫度沖擊循環(huán)的CTE失配。
 
應用領域:燃料電池DCDC、數(shù)據(jù)中心UPS、大功率快速充電樁等。
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)國產(chǎn)車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET,國產(chǎn)車規(guī)級PPAP碳化硅(SiC)MOSFET,全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調(diào)熱泵驅動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器等,光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module,儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。專業(yè)分銷基本™(BASiC Semiconductor)SiC碳化硅MOSFET模塊及分立器件,全力支持中國電力電子工業(yè)發(fā)展!
 
汽車級全碳化硅功率模塊是BASiC基本™(BASiC Semiconductor)為新能源汽車主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品,包括Pcore™6‍汽車級HPD模塊、‍Pcore™2‍汽車級DCM模塊、‍Pcore™1‍汽車級TPAK模塊、Pcore™2‍汽車級ED3模塊等,采用銀燒結技術等BASiC基本™(BASiC Semiconductor)最新的碳化硅 MOSFET 設計生產(chǎn)工藝,綜合性能達到國際先進水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉換效率,進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。主要產(chǎn)品規(guī)格有:BMS800R12HWC4_B02,BMS600R12HWC4_B01,BMS950R12HWC4_B02,BMS700R12HWC4_B01,BMS800R12HLWC4_B02,BMS600R12HLWC4_B01,BMS950R12HLWC4_B02,BMS700R12HLWC4_B01,BMF800R12FC4,BMF600R12FC4,BMF950R08FC4,BMF700R08FC4,BMZ200R12TC4,BMZ250R08TC4
 
傾佳電子(Changer Tech)專業(yè)分銷BASiC基本™(BASiC Semiconductor)碳化硅(SiC)MOSFET專用雙通道隔離驅動芯片BTD25350,原方帶死區(qū)時間設置,副方帶米勒鉗位功能,為碳化硅功率器件SiC MOSFET驅動而優(yōu)化。
BTD25350適用于以下碳化硅功率器件應用場景:
充電樁中后級LLC用SiC MOSFET 方案
光伏儲能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高頻APF,用兩電平的三相全橋SiC MOSFET方案
空調(diào)壓縮機三相全橋SiC MOSFET方案
OBC后級LLC中的SIC MOSFET方案
服務器交流側圖騰柱PFC高頻臂GaN或者SiC方案
 
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進控制、高效率 DC/DC 拓撲與控制,雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機(OBC)/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ,雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓撲與控制,直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
 
 
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