國產SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何確保？
電力電子系統(tǒng)研發(fā)制造商一般需要碳化硅MOSFET功率器件供應商提供可靠性測試報告的原始數(shù)據(jù)和器件封裝的FT數(shù)據(jù)。
SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要來自以下可靠性測試環(huán)節(jié)的測試前后的數(shù)據(jù)對比，通過對齊可靠性報告原始數(shù)據(jù)測試前后漂移量的對比，從而反映器件的可靠性控制標準及真實的可靠性裕量。SiC碳化硅MOSFET可靠性報告原始數(shù)據(jù)主要包括以下數(shù)據(jù):
SiC碳化硅MOSFET高溫反偏High Temperature Reverse Bias HTRB Tj=175℃VDS=100%BV
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（正壓）High Temperature Gate Bias（+） HTGB（+） Tj=175℃VGS=22V
SiC碳化硅MOSFET高溫柵偏（負壓）High Temperature Gate Bias（-） HTGB（-） Tj=175℃VGS=-8V
SiC碳化硅MOSFET高壓高濕高溫反偏High Voltage, High Humidity, High Temp. Reverse Bias HV-H3TRB Ta=85℃RH=85%VDS=80%BV
SiC碳化硅MOSFET高壓蒸煮Autoclave AC Ta=121℃RH=100%15psig
SiC碳化硅MOSFET溫度循環(huán)Temperature Cycling TC -55℃ to 150℃
SiC碳化硅MOSFET間歇工作壽命Intermittent Operational Life IOL △Tj≥100℃Ton=2minToff=2min
FT數(shù)據(jù)來自碳化硅MOSFET功率器... [詳細介紹]